Transistor IRFP250 N 200V 30A Rahvusvaheline originaalalaldi

Nowy Oryginalny Tranzystor IRFP250N Producenta International Rectifier

Prąd drenu ciągły (ID) @ TC = 25°C, VGS @ 10V: 30 A

Prąd drenu ciągły (ID) @ TC = 100°C, VGS @ 10V: 21 A

Prąd drenu impulsowy (IDM): 120 A

Moc rozpraszana (PD) @ TC = 25°C: 214 W

Współczynnik obniżania mocy liniowej: 1.4 W/°C

Napięcie bramka-źródło (VGS): ±20 V

Energia jednorazowego impulsu lawinowego (EAS): 315 mJ

Prąd lawinowy (IAR): 30 A

Energia powtarzalnego impulsu lawinowego (EAR): 21 mJ

Maksymalne tempo zmiany napięcia na diodzie w stanie zaporowym (dv/dt): 8.6 V/ns

Temperatura złącza pracy (TJ): -55 do +175 °C

Zakres temperatury przechowywania (TSTG): -55 do +175 °C

Temperatura lutowania, przez 10 sekund: 300°C (1.6 mm od obudowy)