Mosfet-transistor IRFZ34N Rahvusvaheline originaalalaldi
Piąta generacja tranzystorów MOSFET HEXFET firmy International Rectifier wykorzystuje zaawansowane techniki obróbki, aby osiągnąć jak najniższy opór w stanie przewodzenia na jednostkę powierzchni krzemu. Ten korzyść, w połączeniu z szybką prędkością przełączania i wytrzymałym projektem urządzenia, za który znane są tranzystory MOSFET HEXFET, dostarcza konstruktorowi niezwykle wydajnego urządzenia do zastosowania w szerokim spektrum aplikacji. Obudowa TO-220 jest powszechnie preferowana we wszystkich aplikacjach komercyjno-przemysłowych przy poziomach rozpraszanej mocy do około 50 watów. Niski opór cieplny oraz niski koszt opakowania TO-220 przyczyniają się do jego szerokiego uznania w całym przemyśle.
ID @ TC = 25°C - Ciągły prąd drenu, VGS @ 10V: 26 A
ID @ TC = 100°C - Ciągły prąd drenu, VGS @ 10V: 18 A
IDM - Prąd drenu impulsowy: 100 A
PD @ TC = 25°C - Rozpraszana moc, 56 W
Współczynnik obniżania mocy w funkcji temperatury: 0.37 W/°C
VGS - Napięcie bramka-źródło: ±20 V
EAS - Jednorazowa energia lawinowa impulsowa: 110 mJ
IAR - Prąd lawinowy: 16 A
EAR - Powtarzalna energia lawinowa: 5.6 mJ
dv/dt - Maksymalne tempo zmiany napięcia na diodzie w stanie zaporowym: 4.6 V/ns
TJ - Temperatura złącza w trakcie pracy: -55°C do +175°C
TSTG - Zakres temperatur przechowywania: -55°C do +175°C
Temperatura lutowania, przez 10 sekund: 300°C (1.6 mm od obudowy)
Montaż, śruba 6-32 lub M3